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三星电子开启季度营业利润100万亿韩元时代,“HBM4与通用DRAM双轮驱动效应”

[비즈한국]  得益于人工智能(AI)内存半导体需求的扩大及价格上涨,三星电子开启了季度营业利润100万亿韩元的时代。随着AI数据中心投资规模的扩大,不仅带动了HBM(高带宽内存)的需求,连同通用DRAM和NAND的需求也随之攀升,半导体业务成功拉动了公司整体业绩。

8日,三星电子发布了2024年第三季度合并财报,预计营收为195万亿韩元,营业利润为107.4万亿韩元。与去年同期相比,营收增长了126.6%,营业利润增长了782.5%。较上一季度也分别增长了13.7%和20.0%。营业利润超过了证券界此前预测的105.4137万亿韩元,高出约1.9%。仅单季度赚取的营业利润,就约为去年全年营业利润(43.6万亿韩元)的2.5倍。

得益于人工智能(AI)内存需求扩大及价格上涨,三星电子今年第三季度营业利润达到107.4万亿韩元。这是季度营业利润首次突破100万亿韩元大关。图片=崔俊弼记者

单季度营业利润达去年全年利润的2.5倍

半导体业务引领了业绩改善。随着AI大型科技公司持续扩大数据中心投资,用于运算的HBM、处理数据的服务器用DRAM,以及存储装置用的NAND闪存需求均有所增长。在此过程中,随着内存厂商加大HBM产能,通用内存的供应也变得紧缺。在半导体产能短期内难以扩大的情况下,各大内存厂商将资源优先配置在HBM生产上,导致通用内存供给吃紧。

内存价格在第三季度继续保持上涨态势。据市场调研机构DRAMeXchange数据显示,9月份PC用DRAM平均价格为26美元,较上月上涨1美元;存储卡和USB使用的NAND平均价格也涨至30.6美元。TrendForce预测,第四季度通用DRAM价格将比上一季度上涨10~15%,NAND价格将上涨15~20%。

HBM是一种通过将多个DRAM垂直堆叠并扩大数据通道的内存,能够帮助AI加速器快速处理大规模数据。三星电子已于今年2月在全球率先实现第六代产品HBM4的量产与出货。其特点是将10纳米级1c DRAM与自研4纳米代工工艺制造的基底裸片(位于HBM与AI加速器之间、用于控制数据信号的底部芯片)相结合。KB证券推算,三星电子第三季度HBM4销售额较上一季度增长了3倍以上。

市场占有率也呈现回升趋势。据Counterpoint Research统计,第二季度全球HBM销售额市场占有率分别为:SK海力士50%,三星电子33%,美光18%。三星电子较第一季度的21%上升了12个百分点,与SK海力士的差距也缩小至17个百分点。

三星电子HBM4E 12层产品。图片=三星电子提供

三星电子曾在第二季度财报电话会议上透露,客户的长期供应合同追加需求持续不断。若AI内存需求在中长期内持续存在,扩大长期合同将对内存厂商的生产及投资计划制定产生影响。

虽创史上最高业绩,但DX部门面临盈利压力

与半导体业务不同,负责智能手机、电视、家电等的设备体验(DX)部门面临着盈利压力。市场普遍认为,受内存等零部件价格上涨及全球成品需求放缓等影响,DX部门可能连续两个季度出现亏损。半导体价格上涨虽然是DS(半导体)部门利润改善的因素,但对于购买零部件生产成品机的DX部门来说,则构成了成本压力。全球整机需求疲软以及韩元走强也带来了负面影响。

在HBM竞争中,三星电子在缩小与SK海力士差距的同时,也在积极扩大客户群。虽然同时拥有内存和代工业务的商业结构具有能够将HBM与逻辑半导体相结合的优势,但在代工领域,如何缩小与台积电(TSMC)的竞争力差距仍是一项挑战。

即使内存价格持续上涨,客户方的成本负担加重也是一大变数。

三星电子于7日公布了DS部门特别经营奖金的详细内容。资金来源为DS部门营业利润的10.5%,计划在2027年年度股东大会结束后的3月底发放奖金,扣除税款等项后将以公司股票形式支付。

超企业工会推测,假设DS部门年度营业利润为370万亿韩元,内存事业部年薪8000万韩元左右的员工可能获得约7.5亿韩元的奖金。这并非公司确定的个人支付金额,而是工会方面的预估值。

Meritz证券研究员金善宇分析称:“尽管韩元急剧走强营造了不利的业绩环境,但凭借稳健的销售策略,内存售价再次超过了行业平均水平。”不过他分析认为,除半导体以外的移动业务、生活家电等部门的营业亏损可能会扩大。

三星电子将于本月29日发布第三季度正式财报并举行财报电话会议。届时,各事业部的详细业绩、内存价格、HBM4供给扩大情况、代工开工率等具体经营状况将对外公布。

本文由AI自动翻译。与韩语原文相比可能存在误差。
강은경 기자

기술과 산업을 취재하고 씁니다.

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